江浙滬光聚合型光刻膠顯影
三苯基硫鎓鹽是常用的EUV光刻膠光致產(chǎn)酸劑，也具有枝狀結構。佐治亞理工的Henderson課題組借鑒主體材料鍵合光敏材料的思路，制備了一種枝狀單分子樹(shù)脂光刻膠TAS-tBoc-Ts。雖然他們原本是想要合成一種化學(xué)放大型光刻膠，但根據是否后烘，TAS-tBoc-Ts既可呈現負膠也可呈現正膠性質(zhì)。曝光后若不后烘，硫鎓鹽光解形成硫醚結構，生成的光酸不擴散，不會(huì )引發(fā)t-Boc的離去；曝光區域不溶于水性顯影液，未曝光區域為離子結構，微溶于水性顯影液，因而可作為非化學(xué)放大型負性光刻膠。曝光后若后烘，硫鎓鹽光解產(chǎn)生的酸引發(fā)鏈式反應，t-Boc基團離去露出酚羥基；使用堿性顯影液，曝光區域的溶解速率遠遠大于未曝光區域，因此又可作為化學(xué)放大型正性光刻膠。這個(gè)工作雖然用DUV光刻和電子束光刻測試了此類(lèi)光刻膠的光刻性能，但由于EUV光刻機理與電子束光刻的類(lèi)似性，本工作也為新型EUV光刻膠的設計開(kāi)辟了新思路。光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù)，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù)。江浙滬光聚合型光刻膠顯影
目前國內從事半導體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份、南大光電、上海新陽(yáng)、北京科華等。相關(guān)企業(yè)以i 線(xiàn)、g線(xiàn)光刻膠生產(chǎn)為主，應用集成電路制程為350nm以上。在KrF光刻膠領(lǐng)域，北京科華、博康已實(shí)現量產(chǎn)。國內在A(yíng)rF光刻膠領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程相對較快的企業(yè)為南大光電，其先后承擔國家02專(zhuān)項“高分辨率光刻膠與先進(jìn)封裝光刻膠產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國內通過(guò)客戶(hù)驗證的國產(chǎn)ArF光刻膠，其他國內企業(yè)尚處于研發(fā)和驗證階段。半導體光刻膠其他助劑光刻膠的國產(chǎn)化公關(guān)正在展開(kāi)，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域，中國已經(jīng)出現了一批有競爭力的本土企業(yè)。
分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉變溫度的單分散小分子有機化合物，其結構為非共面和不規則，能夠避免結晶，與產(chǎn)酸劑具有優(yōu)良的相容性。以分子玻璃為成膜樹(shù)脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機配體構建其主體結構，有機配體中包含光敏基團，借助光敏基團的感光性及其引發(fā)的后續反應實(shí)現光刻膠所需的性能。從化學(xué)組成來(lái)看，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過(guò)渡金屬有機化合物。
有研究結果表明，在EUV光照下，某特定光刻膠分子每吸收一個(gè)光子可以產(chǎn)生2.1個(gè)活性物種，這一效率分別是KrF光刻和ArF光刻的6倍和15倍。由于在光刻膠材料中有二次電子的產(chǎn)生，EUV光刻在機理上與電子束光刻有相近之處。因為商用EUV光刻機價(jià)格昂貴，對光刻膠材料研發(fā)人員開(kāi)放的同步輻射EUV干涉線(xiàn)站機時(shí)有限，所以近年來(lái)，在EUV光刻膠的研發(fā)過(guò)程中也常利用電子束光刻開(kāi)展相關(guān)機理、工藝研究和基本性能的評測，也有一些尚未實(shí)際應用于EUV光刻但已有電子束光刻研究結果的光刻膠。根據應用領(lǐng)域不同，光刻膠可分為 PCB 光刻膠、LCD 光刻膠和半導體光刻膠，技術(shù)門(mén)檻逐漸遞增。
非常常見(jiàn)的單分子樹(shù)脂化合物的分子拓撲結構有枝狀（或星形）、環(huán)狀（包括梯形）、螺環(huán)狀以及四面體結構等等。其主要結構通常為具有非對稱(chēng)、非平面的組分。對于化學(xué)放大光刻膠，芳香環(huán)上會(huì )連有酸敏離去基團保護的酸性官能團。非對稱(chēng)、非平面結構可以防止體系因π-π堆積而結晶，芳香環(huán)的剛性可以確保光刻膠具有較好的熱穩定性、玻璃化轉變溫度和抗刻蝕性，酸敏可離去基團則可在光酸的作用下使酸性官能團裸露出來(lái)，實(shí)現溶解性的改變。聚合度越小，發(fā)生微相分離的尺寸越小，對應的光刻圖形越小。江蘇彩色光刻膠顯示面板材料
在PCB行業(yè)：主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等。江浙滬光聚合型光刻膠顯影
浸沒(méi)光刻：在與浸沒(méi)光刻相對的干法光刻中，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應。在浸沒(méi)光刻中，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過(guò)這些液體的時(shí)候發(fā)生了折射，波長(cháng)變短。這樣，在不改變光源的前提條件下，更短波長(cháng)的紫外光被投影光刻膠上，提高了光刻加工的分辨率。雙重光刻：雙重光刻的意思是通過(guò)兩次光刻使得加工分辨率翻倍。實(shí)現這個(gè)目的的一種方法是在開(kāi)始光刻過(guò)后平移同一個(gè)光罩進(jìn)行第二次光刻，以提高加工分辨率。下圖右展示了這樣一個(gè)過(guò)程。下圖右中雙重光刻子進(jìn)行了兩次涂膠，兩次光刻和兩次刻蝕。隨著(zhù)光刻膠技術(shù)的進(jìn)步，只需要一次涂膠，兩次光刻和一次刻蝕的雙重光刻工藝也成為可能。江浙滬光聚合型光刻膠顯影
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