北京漏電保護電流傳感器單價(jià)

3、巨磁阻電流傳感器巨磁阻電流傳感器是基于GMR（GiantMegnetoResistant）效應來(lái)進(jìn)行電流測量的，即通過(guò)電阻隨磁場(chǎng)變化來(lái)測量電流。GMR電流傳感器具有小體積、高精度、高靈敏度、寬測量范圍、低成本和高集成度以及能夠測量交直流等優(yōu)點(diǎn)，因此應用在許多領(lǐng)域中。然而，由于巨磁阻電流傳感器受自身磁性材料特點(diǎn)的限制，對外界磁場(chǎng)以及溫度的變化較為敏感，易受周?chē)h(huán)境雜散磁場(chǎng)的影響，從而導致較大的輸出誤差，降低測量結果的準確度,不適合用于復雜環(huán)境下的電流的檢測。在電力系統中，磁通門(mén)電流傳感器可以用于測量電網(wǎng)中的交流電流，以監控電力系統的運行狀態(tài)和電力質(zhì)量。北京漏電保護電流傳感器單價(jià)

誤差控制電路由PI環(huán)節構成，其直流開(kāi)環(huán)增益越大越好，同時(shí)要求所選擇運算放大器失調電壓小，單位增益帶寬大，選用OP27G高精密運放。誤差控制電路輸出直接連接PA功率放大電路，以驅動(dòng)其輸出反饋電流IF。常見(jiàn)的功率放大電路包括集成功率放大電路以及三極管等功率器件搭建的A類(lèi)，B類(lèi)，AB類(lèi)，D類(lèi)，H類(lèi)功率放大電路[9,50]。在基于磁通門(mén)原理的直流電流測量的類(lèi)似方案中，為了通過(guò)降低功率放大電路的功耗以改善整個(gè)系統的運行功耗，D類(lèi)功率放大電路，H類(lèi)功率放大電路常有出現，但該類(lèi)功率放大電路輸出紋波較大，因此對反饋電流中交直流測量帶來(lái)誤差。為了減小功率放大電路環(huán)節的輸出紋波，本文選擇了傳統AB類(lèi)功率放大電路，其功率器件選擇TI德州儀器旗下的TIP110，TIP117，兩者器件參數一致，為互補對稱(chēng)的大功率達靈頓管，其大輸出交流可達2A。濟南萊姆電流傳感器案例根據磁芯不同的結構，平行型磁通門(mén)傳感器可分為單棒型、雙棒型、管型、環(huán)型。

巨磁阻（GMR）效應在微小磁場(chǎng)測量領(lǐng)域實(shí)現了創(chuàng )新性的改變，尤其在利用渦流傳感器進(jìn)行無(wú)損檢測方面取得了很大的進(jìn)展。巨磁阻傳感器具有低功耗、尺寸小、高靈敏度以及頻率與靈敏度的不相關(guān)性等特點(diǎn)；同霍爾傳感器相同，巨磁阻芯片是傳感器的主要組成部分，一般也容易受到環(huán)境中磁場(chǎng)的干擾，不適用于電磁環(huán)境復雜的環(huán)境，對復雜波形電流也不能做出準確的檢測。磁通門(mén)傳感器(Fluxgatecurrentsensor)，一開(kāi)始主要用于弱磁場(chǎng)的檢測，比如地磁場(chǎng)檢測、鐵礦石檢測、位移檢測和管道泄漏檢測等方面。隨著(zhù)這種技術(shù)的發(fā)展，磁通-2-門(mén)傳感器廣泛應用于太空探測和地質(zhì)勘探中。磁通門(mén)電流傳感器的結構類(lèi)似霍爾電流傳感器，是基于檢測磁路的飽和特性而設計的。磁通門(mén)電流傳感器采用高磁導率的磁芯，通過(guò)磁芯的交替飽和，產(chǎn)生的感應電壓和被測電流之間存在著(zhù)一定的數量關(guān)系，從而可以得到被測電流。它實(shí)際上檢測磁場(chǎng)的變化，通過(guò)磁與電的聯(lián)系來(lái)得到被測電流。近幾年，隨著(zhù)軟磁材料的發(fā)展和電子元器件的革新，磁通門(mén)電流傳感器的性能不斷提高，其應用范圍不斷擴大，受到越來(lái)越多的關(guān)注。

IC為穩態(tài)充電電流，即在理想情況下t=∞時(shí)刻，通過(guò)激磁電感中的穩態(tài)充電電流滿(mǎn)足IC=Vout/Rsum。τ1為鐵芯C1回路放放電時(shí)間常數，τ1=l/Rsum。在t1時(shí)刻，鐵芯C1工作點(diǎn)將由負向飽和區C進(jìn)入線(xiàn)性區A，此時(shí)激磁電流iex降低至負向飽和閾值電流I-th1，其滿(mǎn)足Ip=-Ip1，I-th1=I-th-βIp?？傻胻1時(shí)刻激磁電流終值iex(t1)滿(mǎn)足：iex(t1)=一I-th1=一Ith+βIp1其中β=Np/N1，βIp1可以將理解為，一次電流在鐵芯C1中產(chǎn)生的磁勢折算到激磁繞組W1側的磁勢大小。磁通門(mén)電流傳感器也可以用于測量脈沖電流，監測和控制脈沖電流的狀態(tài)。

根據前述假設，Im<<IC且在線(xiàn)性區A激磁電感L遠大于飽和區B、C激磁電感l，因此τ2>>τ1，因此式（2－31）進(jìn)一步化簡(jiǎn)得：T=TP+TN=(IC一4Ith(I)th(β(IC)Ip(一)I(h)(τ2Ith(一)Ip1)（2－32）根據式（2－27）（2－30）（2－32）可求得激磁電壓信號Vex在一個(gè)周波內平均電壓Vav滿(mǎn)足：Vav=Vout=ICβ一II(p1)thVout（2－33）根據前述假設Ith<<IC可進(jìn)一步對式（2-33）分母進(jìn)行化簡(jiǎn)，帶入下列表達式IC=Vout/Rsum，β=Np/N1，iex=Vout/(RC+RS)及Rsum=RC+RS可進(jìn)一步得激磁電流平均值iav滿(mǎn)足：iav=一（2－34）式（2－34）即為平均電流模型基于磁化曲線(xiàn)的分段線(xiàn)性化模型所得激磁電流與一次電流之間的定量關(guān)系式，即自激振蕩磁通門(mén)電路激磁電流平均值與一次電流之間呈線(xiàn)性比例關(guān)系，且激磁電流平均值正負與一次電流方向相關(guān)。自激振蕩磁通門(mén)電路可以識別電流方向且激磁電流平均值與一次電流量值線(xiàn)性相關(guān)，這便為自激振蕩磁通門(mén)電路測量交流及交直流提供了理論上的可行性，現對IP為交直流電流時(shí)，自激振蕩磁通門(mén)電路測量原理進(jìn)行分析。電阻值的變化：霍爾電流傳感器的內部電阻值可能會(huì )受到溫度、濕度、機械應力和時(shí)間等因素的影響而發(fā)生變化。無(wú)錫化成分容電流傳感器價(jià)格大全

抗電磁干擾：由于磁通門(mén)傳感器是通過(guò)測量磁通量來(lái)間接測量電流的，因此它可以抵抗電磁干擾的影響。北京漏電保護電流傳感器單價(jià)

電流傳感器技術(shù)方案差異分析隨著(zhù)電力電子技術(shù)應用的逐步發(fā)展，人們對電流傳感器的性能提出了更高的要求，所以電流傳感器迅速發(fā)展起來(lái)。為了滿(mǎn)足電流傳感器在不同領(lǐng)域中的技術(shù)需求，產(chǎn)業(yè)界開(kāi)發(fā)出了各種類(lèi)型電流傳感器，如霍爾電流傳感器、羅氏線(xiàn)圈、巨磁阻電流傳感器、電流互感器、分流電阻以及磁通門(mén)電流傳感器等。小編在7月份在無(wú)錫納吉伏公司的網(wǎng)站上對這些不同電流傳感器的技術(shù)路線(xiàn)差異進(jìn)行了初步分析分析，下面詳細介紹上述幾種常見(jiàn)的電流傳感器。

霍爾效應傳感器是基于霍爾效應的磁場(chǎng)傳感器。它是一種隔離的非侵入式設 備，可同時(shí)應用于直流和交流電流檢測，通常高達數百千赫茲。由于其簡(jiǎn)單的結構，與微電子器件的兼容性，霍爾器件可以單片集成到完全集成的磁傳感器中?；魻杺鞲衅骺梢允褂贸Ｒ幍腃MOS技術(shù)制造。但是，它通常比電流互感器或Rogowski傳感器昂貴。盡管霍爾傳感器可以測量直流電流，但由于鐵芯飽和，霍爾傳感器通常具有有限的峰值電流，并且具有有限的帶寬（<1MHz）。另外，它對外部磁場(chǎng)非常敏感，霍爾傳感器的溫度穩定性和時(shí)間穩定性非常不好?；魻栃獋鞲衅髦饕陂]環(huán)模式下工作，以實(shí)現更高的精度和更寬的動(dòng)態(tài)范圍。北京漏電保護電流傳感器單價(jià)

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